- 专利标题： 半导体晶片的评价方法及半导体晶片的制造方法
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申请号： CN201980084978.1申请日： 2019-12-20
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公开(公告)号： CN113227706B公开(公告)日： 2022-11-11
- 发明人: 西村雅史 , 田中宏知
- 申请人： 胜高股份有限公司
- 申请人地址： 日本东京都港区芝浦一丁目2番1号
- 专利权人： 胜高股份有限公司
- 当前专利权人： 胜高股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本东京都港区芝浦一丁目2番1号
- 代理机构： 北京北新智诚知识产权代理有限公司
- 代理商 刘秀青
- 优先权： 2018-245438 20181227 JP
- 国际申请： PCT/JP2019/049970 2019.12.20
- 国际公布： WO2020/137837 JA 2020.07.02
- 进入国家日期： 2021-06-21
- 主分类号： G01B11/24
- IPC分类号： G01B11/24 ; B24B49/12 ; H01L21/304 ; H01L21/66
摘要：
本发明提供一种半导体晶片的评价方法，包括通过反射型微分干涉显微镜在评价对象的半导体晶片的外周部的评价对象位置获取微分干涉图像，上述反射型微分干涉显微镜设定为拍摄半导体晶片的主面作为灰色区域且拍摄倒角面作为黑色区域，上述微分干涉图像包含灰色区域和黑色区域，在上述灰色区域与上述黑色区域之间还包含白色区域；包括将上述白色区域的宽度W作为指标，评价上述评价对象位置的半导体晶片的主面与相邻于该主面的倒角面的边界部的形状。
公开/授权文献
- CN113227706A 半导体晶片的评价方法及半导体晶片的制造方法 公开/授权日：2021-08-06
