本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层，栅极层形成于半导体层上，栅极层包括主栅和扩展栅，主栅两侧的半导体层中分别形成有源极区和漏极区，扩展栅至少从主栅向源极区方向延伸，体接触区形成于源极区中，体接触区从源极区向漏极区方向延伸至靠近扩展栅的一侧与扩展栅接触，栅极离子掺杂区形成于栅极层中，栅极离子掺杂区从扩展栅的靠近体接触区的一侧至少延伸至主栅中，且在源极区指向漏极区的方向上，体接触区与栅极离子掺杂区接触。本发明的技术方案能够在考量到栅极层和体接触区的制作工艺的波动性影响的同时，还能提高器件性能。