- 专利标题: 一种基于3T-3MTJ存储单元的磁性随机存储器及其读取方法
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申请号: CN202110449356.3申请日: 2021-04-25
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公开(公告)号: CN113113062B公开(公告)日: 2021-11-23
- 发明人: 王超 , 陆楠楠
- 申请人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 申请人地址: 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
- 代理机构: 无锡派尔特知识产权代理事务所
- 代理商 杨立秋
- 主分类号: G11C11/22
- IPC分类号: G11C11/22
摘要:
本发明公开一种基于3T‑3MTJ存储单元的磁性随机存储器及其读取方法,属于非易失性存储器领域,包括3T‑3MTJ存储单元、逻辑控制电路、多边选择电路MUX和灵敏放大器SA。当多边选择电路MUX选通S0端和S1端时,NMOS管N3关断,灵敏放大器SA将读出磁性隧道结M01和M02的存储信息;当多边选择电路MUX选通S0端和S2端时,NMOS管N3导通,灵敏放大器SA通过比较两边电流的大小读出磁性隧道结M03的存储信息。由此可见,一个3T‑3MTJ存储单元可以存储2Bit数据;与2T‑2MTJ存储单元相比能够大幅度提高存储单元的密度,与1T‑1MTJ存储单元相比具有更高的读出可靠性。
公开/授权文献
- CN113113062A 一种基于3T-3MTJ存储单元的磁性随机存储器及其读取方法 公开/授权日:2021-07-13