发明授权
- 专利标题： 高抗辐射磁随机存储器件及其制备方法
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申请号： CN202110276692.2申请日： 2021-03-15
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公开(公告)号： CN113053942B公开(公告)日： 2021-11-23
- 发明人: 施辉 , 张海良 , 徐何军 , 曹利超 , 王印权 , 吴建伟 , 洪根深 , 贺琪
- 申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 申请人地址： 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
- 代理机构： 无锡派尔特知识产权代理事务所
- 代理商 杨立秋
- 主分类号： H01L27/22
- IPC分类号： H01L27/22 ; H01L27/28 ; H01L43/08 ; H01L51/30 ; H01L51/05 ; H01L43/12 ; B82Y30/00
摘要：
本申请公开了一种高抗辐射磁随机存储器件及其制备方法，属于存储器制造技术领域，所述高抗辐射磁随机存储器件包括：衬底；形成在所述衬底上的碳纳米管晶体管；磁性隧道结存储单元，所述磁性隧道结存储单元形成在所述碳纳米管晶体管的上方，所述碳纳米管存储单元由金属缓冲层、反铁磁层、铁磁层、氧化物势垒层、铁磁层、氧化物保护层和金属保护层自下而上堆叠组成，并通过金属通孔与所述碳纳米管晶体管的漏极垂直电相连。提高了磁随机存储器的抗辐射性能。
公开/授权文献
- CN113053942A 高抗辐射磁随机存储器件及其制备方法 公开/授权日：2021-06-29
IPC分类:
