发明公开
CN112687611A 互连结构及其形成方法
审中-实审
- 专利标题： 互连结构及其形成方法
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申请号： CN201910999275.3申请日： 2019-10-18
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公开(公告)号： CN112687611A公开(公告)日： 2021-04-20
- 发明人: 于海龙 , 谭晶晶 , 荆学珍
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 北京市大兴区文昌大道18号;
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市大兴区文昌大道18号;
- 代理机构： 北京市一法律师事务所
- 代理商 刘荣娟
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/538
摘要：
本申请公开了一种互连结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，衬底中形成有金属层；在衬底上形成介质层，介质层中具有开口，开口暴露金属层；在开口的侧壁形成非晶硅层，且非晶硅层暴露出金属层表面；以金属层为生长基质，在开口内形成导电连接层；以及形成导电连接层之后，进行退火处理，使非晶硅层与导电连接层的侧壁表面的材料反应以形成硅化物粘附层。本申请还公开了一种互连结构。本申请所公开的互连结构及其形成方法提高了互连结构的性能。
IPC分类:
