一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，用于形成第一型晶体管，基底上形成有一个或多个堆叠的沟道叠层；在基底上形成横跨沟道叠层的栅极结构；刻蚀栅极结构两侧的沟道叠层，形成凹槽；沿沟道层长度的方向，刻蚀凹槽侧部部分的牺牲层，形成沟槽，沟槽由沟道层与剩余的牺牲层围成；在沟槽中填充掺杂有导电类型为第二型的掺杂离子的扩散源掺杂层，第二型与第一型不同；对扩散源掺杂层进行热处理，使第二型掺杂离子向沟道层中扩散形成反型掺杂区；在凹槽中形成源漏掺杂区。在沟道层中掺杂第二型掺杂离子，有利于降低器件的闪烁噪声，且本发明通过固态源扩散的方式进行掺杂有利于减小对沟道层的损伤。