- 专利标题： 氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法
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申请号： CN202010709396.2申请日： 2020-07-22
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公开(公告)号： CN112521946B公开(公告)日： 2023-12-22
- 发明人: 柳浩成 , 金明炫 , 梁俊镐 , 李浚银 , 张平和
- 申请人： OCI有限公司
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： OCI有限公司
- 当前专利权人： OCI有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 吕琳; 宋东颖
- 优先权： 10-2019-0114511 2019.09.18 KR
- 主分类号： C09K13/06
- IPC分类号： C09K13/06 ; C09K13/08 ; H01L21/311
摘要：
本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，确保滴定溶解度，在低温下不易分解，在蚀刻条件下容易分解以防止生长成硅类颗粒，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比。
公开/授权文献
- CN112521946A 氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 公开/授权日：2021-03-19
