本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储装置，属于半导体技术领域。该半导体结构包半导体层、第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和隔离结构，其中，半导体层形成有隔离沟槽和多个具有一长轴方向的有源区；第一栅极结构至少部分设于沿长轴方向的两个有源区之间的隔离沟槽中；第二栅极结构设于有源区内；第三栅极结构设于隔离沟槽中，且连接第一栅极结构和第二栅极结构；隔离结构覆盖第一栅极结构和第三栅极结构以外的隔离沟槽，且隔离结构设置有气隙层；其中，任一有源区在衬底基板上的正投影，被与该有源区相邻的气隙层、第一栅极结构和第三栅极结构共同在衬底基板上的正投影包围。该半导体结构能够降低行锤效应。