Invention Publication
CN1123957A 半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体器件及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and method of manufacturing the same
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Application No.: CN95115080.4Application Date: 1995-07-25
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Publication No.: CN1123957APublication Date: 1996-06-05
- Inventor: 赵炳珍
- Applicant: 现代电子产业株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 现代电子产业株式会社
- Current Assignee: 现代电子产业株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 萧掬昌; 王忠忠
- Priority: 17957/94 1994.07.25 KR
- Main IPC: H01L27/105
- IPC: H01L27/105 ; H01L21/8232
Abstract:
本发明的半导体器件是这样形成的：形成T形栅极；在T形栅极两侧下方的潜挖部位形成与T形栅极容性耦合的辅助栅极；利用掺杂氧化膜在硅衬底中辅助栅极之下形成轻掺杂区；并形成连至轻掺杂区的重掺杂区。因此，本发明可形成高速集成电路器件所需的短沟道长度，并通过降低LDD结构的轻掺杂区的沟道电阻，大大提高器件的工作速度。
Public/Granted literature
- CN1041471C 半导体器件及其制造方法 Public/Granted day:1998-12-30
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IPC分类:
