发明授权
- 专利标题： 高压非对称结构LDMOS器件及其制备方法
-
申请号： CN202011433850.2申请日： 2020-12-10
-
公开(公告)号： CN112216745B公开(公告)日： 2021-03-09
- 发明人: 郁文 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王帅鹏 , 邓永峰
- 申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ;
- 专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司
- 当前专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ;
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 肖冰滨; 王晓晓
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/08 ; H01L29/40 ; H01L29/423 ; H01L21/336
摘要：
本发明提供一种高压非对称结构LDMOS器件及其制备方法。该LDMOS器件包括：漂移区和体区；漂移区的表面划分有第一区域和第二区域；体区的表面划分有第三区域和第四区域，第二区域和第四区域被第一栅介质层延伸覆盖；第一栅介质层的表面划分有第七区域，第七区域位于漂移区上方且被第二栅介质层覆盖；第二栅介质层的表面划分有第六区域和第五区域，第五区域以及第七区域以外的第一栅介质层被多晶硅栅延伸覆盖；漂移区的第一区域由表面向内形成有漏区；体区的第三区域由表面向内形成有源区，漏区深度大于源区深度。双层栅介质结构保障器件在高电压大电流条件下的工作可靠性。漏区结深大于源区结深，有效提升漏区对导电沟道的控制能力。
公开/授权文献
- CN112216745A 高压非对称结构LDMOS器件及其制备方法 公开/授权日：2021-01-12
IPC分类:
