发明公开
- 专利标题: 一种晶界可调控的钕铁硼磁体制备方法
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申请号: CN202011051159.8申请日: 2020-09-29
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公开(公告)号: CN112133552A公开(公告)日: 2020-12-25
- 发明人: 王传申 , 杨昆昆 , 彭众杰 , 丁开鸿
- 申请人: 烟台首钢磁性材料股份有限公司
- 申请人地址: 山东省烟台市福山区永达街888号
- 专利权人: 烟台首钢磁性材料股份有限公司
- 当前专利权人: 烟台东星磁性材料股份有限公司
- 当前专利权人地址: 265500 山东省烟台市福山区永达街888号
- 代理机构: 亳州速诚知识产权代理事务所
- 代理商 张辉
- 主分类号: H01F41/02
- IPC分类号: H01F41/02 ; C22C38/06 ; C22C38/16 ; C22C38/14 ; C22C38/10 ; C22C38/12
摘要:
本发明涉及一种晶界可调控的钕铁硼磁体制备方法,通过晶界的调控控制钕铁硼磁体性能,扩散源与钕铁硼磁体形成钕铁硼磁体中间体,钕铁硼磁体中间体的化学成分按照质量百分比表示为[R1xR2yR31‑x‑y]aMbBcFe100‑a‑b,其中0.8≤x≤1,0≤y≤0.08,32≤a≤38,0.5≤b≤7,0.9≤c≤1.2,R1是指Nd、Pr、Ce中的一种或多种,R2是指La、Sm中的一种或多种,R3是指Tb、Dy、Ho中的一种或多种,M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Nb、Mo、Sn中的多种组,然后将钕铁硼磁体中间体装炉,进行高温、时效处理,本发明的无重稀土矫顽力性能可高于25 kOe,含重稀土磁体经处理后矫顽力性能可高于29kOe。
公开/授权文献
- CN112133552B 一种晶界可调控的钕铁硼磁体制备方法 公开/授权日:2022-05-24