一种晶界可调控的钕铁硼磁体制备方法
摘要:
本发明涉及一种晶界可调控的钕铁硼磁体制备方法,通过晶界的调控控制钕铁硼磁体性能,扩散源与钕铁硼磁体形成钕铁硼磁体中间体,钕铁硼磁体中间体的化学成分按照质量百分比表示为[R1xR2yR31‑x‑y]aMbBcFe100‑a‑b,其中0.8≤x≤1,0≤y≤0.08,32≤a≤38,0.5≤b≤7,0.9≤c≤1.2,R1是指Nd、Pr、Ce中的一种或多种,R2是指La、Sm中的一种或多种,R3是指Tb、Dy、Ho中的一种或多种,M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Nb、Mo、Sn中的多种组,然后将钕铁硼磁体中间体装炉,进行高温、时效处理,本发明的无重稀土矫顽力性能可高于25 kOe,含重稀土磁体经处理后矫顽力性能可高于29kOe。
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