Invention Grant
- Patent Title: 一种用于全保偏Sagnac闭合光路装配的偏振特性测量方法
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Application No.: CN202010919156.5Application Date: 2020-09-04
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Publication No.: CN112082651BPublication Date: 2023-04-07
- Inventor: 杨军 , 张浩亮 , 党凡阳 , 朱云龙 , 张翔 , 林蹉富 , 苑勇贵 , 苑立波
- Applicant: 哈尔滨工程大学
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室
- Assignee: 哈尔滨工程大学
- Current Assignee: 哈尔滨工程大学
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室
- Main IPC: G01J4/00
- IPC: G01J4/00 ; G01M11/02

Abstract:
本发明提供一种用于全保偏Sagnac闭合光路装配的偏振特性测量方法:将用于全保偏Sagnac闭合光路装配的Y波导和保偏光纤环先后连接成非闭合光路和闭合光路,并分别接入光学相干域偏振测量仪中进行测量,结合二阶偏振串扰效应,可以获得闭合光路中所有连接点的一阶偏振串扰、保偏光纤环全长度的分布式偏振串扰和Y波导芯片消光比等全部偏振特性信息。该方法实现了全保偏Sagnac闭合光路装配过程中偏振特性的测量,可广泛用于闭合光路中所有光学器件和连接点的分布式偏振串扰的监测和评价,对于高性能干涉型光学传感器的研制具有重要意义。
Public/Granted literature
- CN112082651A 一种用于全保偏Sagnac闭合光路装配的偏振特性测量方法 Public/Granted day:2020-12-15
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