发明公开
- 专利标题： 三维存储器及其制备方法
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申请号： CN202010916254.3申请日： 2020-09-03
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公开(公告)号： CN112071858A公开(公告)日： 2020-12-11
- 发明人: 李拓 , 李磊 , 蒲浩 , 郭海峰 , 艾义明 , 贾彩艳 , 陆智勇
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 广州三环专利商标代理有限公司
- 代理商 熊永强
- 主分类号： H01L27/1157
- IPC分类号： H01L27/1157 ; H01L27/11582
摘要：
本申请提供一种三维存储器及其制备方法。包括：提供半导体结构，其中，所述半导体结构包括衬底和形成于所述衬底的表面的叠层结构；在所述叠层结构内形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；在所述沟道孔内依次形成存储器层、种子层和原始沟道层；以及进行退火，以使所述原始沟道层形成沟道层。本申请的技术方案解决了现有技术中为保证沟道孔内最后形成的沟道层的缺陷较少，需要较长时间的退火处理，易导致工艺和物料成本的增加，不适于大规模的量产的问题。
公开/授权文献
- CN112071858B 三维存储器及其制备方法 公开/授权日：2024-05-24
IPC分类:
