发明授权
- 专利标题： 三维存储器件的存储单元结构
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申请号： CN202010684397.6申请日： 2018-08-08
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公开(公告)号： CN112038351B公开(公告)日： 2024-09-24
- 发明人: 戴晓望 , 吕震宇 , 陈俊 , 陶谦 , 胡禺石 , 朱继锋 , 董金文 , 夏季 , 张中 , 李艳妮
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京永新同创知识产权代理有限公司
- 代理商 林锦辉; 刘景峰
- 主分类号： H10B41/20
- IPC分类号： H10B41/20 ; H10B41/40 ; H10B43/20 ; H10B43/40
摘要：
多个实施例公开了一种3D存储器件，包括基底；多个导体层，设置于该基底上；多个NAND串，设置于该基底上；以及多个缝隙结构，设置于该基底上。多个NAND串可垂直于该基底排列且以具有多个六角形的六角形晶格取向的方式排列。每个六角形包括三对的侧边，且第一对的侧边垂直于第一方向且平行于第二方向。该第二方向垂直于该第一方向。多个缝隙结构可沿该第一方向延伸。
公开/授权文献
- CN112038351A 三维存储器件的存储单元结构 公开/授权日：2020-12-04
