公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。依次形成处于衬底上的牺牲层、处于牺牲层上的具有N阱的P型掺杂半导体层以及处于P型掺杂半导体层上的电介质堆叠体。形成垂直地延伸穿过电介质堆叠体和P型掺杂半导体层的沟道结构。利用存储堆叠体代替电介质堆叠体，使得沟道结构垂直地延伸穿过存储堆叠体和P型掺杂半导体层。去除衬底和牺牲层，以暴露沟道结构的末端。利用半导体插塞代替沟道结构的与P型掺杂半导体层邻接的部分。