一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底上具有若干相互分立的伪栅电极层，所述基底上还具有初始第一介质层，且所述初始第一介质层暴露出伪栅电极层顶部表面；回刻蚀所述初始第一介质层，形成第一介质层，所述第一介质层顶部表面低于伪栅电极层顶部表面；在所述第一介质层表面形成刻蚀停止层；去除所述伪栅电极层，在所述第一介质层内形成伪栅开口；在所述伪栅开口内形成栅极结构，且所述栅极结构顶部表面和刻蚀停止层顶部表面齐平。所述方法形成的半导体器件的性能较好。