Invention Grant
- Patent Title: 封装结构及其制作方法
-
Application No.: CN201910238011.6Application Date: 2019-03-27
-
Publication No.: CN111668178BPublication Date: 2022-06-10
- Inventor: 陈明志 , 徐宏欣 , 蓝源富 , 许献文
- Applicant: 力成科技股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹县
- Assignee: 力成科技股份有限公司
- Current Assignee: 力成科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹县
- Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
- Agent 王天尧; 任默闻
- Priority: 108107728 20190308 TW
- Main IPC: H01L23/485
- IPC: H01L23/485 ; H01L23/31 ; H01L21/56 ; H01L21/60

Abstract:
本发明提供一种封装结构及其制作方法,其中封装结构包括芯片、封胶体以及重布线层。芯片包括至少两个集成电路单元以及虚置部分,其中虚置部分将集成电路单元分隔开,且虚置部分不将集成电路单元彼此电性连接。封胶体设置于芯片上,并围绕芯片。重布线层设置于封胶体上,且重布线层电性连接集成电路单元。
Public/Granted literature
- CN111668178A 封装结构及其制作方法 Public/Granted day:2020-09-15
Information query
IPC分类: