本发明公开了一种在m面氮化镓基板上生长蓝色发光二极管的外延方法，涉及半导体外延层生长技术领域，包括在m面GaN基板顶部利用金属有机化学气相沉积方法生长一层非掺杂氮化镓同质外延薄膜浸润层，然后利用金属有机化学气相沉积法自下而上的依次生成N型导电GaN外延层、GaN应力调控层、GaN/InGaN超晶格电子储存层、InGaN/GaN多量子阱发光外延层和复合P型GaN层；本发明实现了m面同质外延获得平整的表面，而且实现了InGaN层In的有效并入实现蓝光量子阱激发。