Invention Publication
CN111439772A 一种二氧化钍纳米材料的制备方法
无效 - 驳回
- Patent Title: 一种二氧化钍纳米材料的制备方法
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Application No.: CN202010160819.XApplication Date: 2020-03-10
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Publication No.: CN111439772APublication Date: 2020-07-24
- Inventor: 肖松涛 , 赵耀林 , 欧阳应根 , 王玲钰 , 左锋 , 叶国安
- Applicant: 中国原子能科学研究院
- Applicant Address: 北京市房山区新镇三强路1号院
- Assignee: 中国原子能科学研究院
- Current Assignee: 中国原子能科学研究院
- Current Assignee Address: 北京市房山区新镇三强路1号院
- Agency: 北京天悦专利代理事务所
- Agent 田明; 周敏毅
- Main IPC: C01F15/00
- IPC: C01F15/00 ; B82Y40/00 ; C04B35/626 ; C04B35/51
Abstract:
本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种二氧化钍纳米材料的制备方法。所述的制备方法是将硝酸钍溶液与氢氧化钠溶液混合均匀，加入反应釜中水热反应，反应产物冷却到室温后水洗涤至pH7.5-8.5，烘干研磨，制得二氧化钍纳米材料。利用本发明的二氧化钍纳米材料的制备方法，能够大规模制备形貌可控、团聚较轻、粒径均匀、比表面积较高、催化活性好的ThO2陶瓷纳米粉体。
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