发明授权
- 专利标题： 存储器件及相关存储器件的编程方法
-
申请号： CN202080000396.3申请日： 2020-02-26
-
公开(公告)号： CN111373478B公开(公告)日： 2021-03-23
- 发明人: 刘红涛 , 靳磊 , 李姗 , 宋雅丽
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京永新同创知识产权代理有限公司
- 代理商 赵磊; 刘柳
- 国际申请： PCT/CN2020/076688 2020.02.26
- 进入国家日期： 2020-03-27
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04 ; G11C16/08 ; G11C16/24
摘要：
可以使用ISPP方案对沟道堆叠的3D存储器件中的垂直NAND串进行编程，其中，在每个验证步骤之后并且在相应的验证步骤开始之前立即引入准备步骤。在准备步骤期间，累积在沟道中的电子可以被选定的位线耗尽，以增强沟道的耦合效果，从而减少编程干扰并提高编程速度。
公开/授权文献
- CN111373478A 存储器件及相关存储器件的编程方法 公开/授权日：2020-07-03
