发明授权
- 专利标题: 磷化铟晶体基板
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申请号: CN201880068736.9申请日: 2018-02-23
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公开(公告)号: CN111263833B公开(公告)日: 2020-10-16
- 发明人: 西冈志行 , 鸿池一晓 , 柳泽拓弥 , 樋口恭明 , 羽木良明
- 申请人: 住友电气工业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府大阪市
- 专利权人: 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人: 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府大阪市
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王海川; 牛嵩林
- 国际申请: PCT/JP2018/006655 2018.02.23
- 国际公布: WO2019/163082 JA 2019.08.29
- 进入国家日期: 2020-04-22
- 主分类号: C30B29/40
- IPC分类号: C30B29/40
摘要:
一种磷化铟晶体基板,所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中,当硫的原子浓度为2.0×1018cm‑3以上且8.0×1018cm‑3以下时,所述磷化铟晶体基板具有10cm‑2以上且500cm‑2以下的平均位错密度,并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm‑3以上且4.0×1018cm‑3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm‑3以上且1.0×1017cm‑3以下时,所述磷化铟晶体基板具有500cm‑2以上且5000cm‑2以下的平均位错密度。
公开/授权文献
- CN111263833A 磷化铟晶体基板 公开/授权日:2020-06-09
IPC分类: