Invention Publication
- Patent Title: 一种基于DDR读数据整数时钟周期的同步电路及同步方法
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Application No.: CN201911375233.9Application Date: 2019-12-27
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Publication No.: CN111208867APublication Date: 2020-05-29
- Inventor: 王亮 , 吴汉明
- Applicant: 芯创智(北京)微电子有限公司
- Applicant Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华中路10号1幢A座17层1717
- Assignee: 芯创智(北京)微电子有限公司
- Current Assignee: 芯创智(北京)微电子有限公司
- Current Assignee Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华中路10号1幢A座17层1717
- Agency: 北京天悦专利代理事务所
- Agent 任晓航; 杨方
- Main IPC: G06F1/12
- IPC: G06F1/12

Abstract:
本发明公开了一种基于DDR读数据整数时钟周期的同步电路及同步方法,同步电路包括:相互连接的物理层校准电路和读数据有效使能生成电路;物理层校准电路用于对DDR读数据与参考数据进行延迟多拍使能比较,得到比较结果;读数据有效使能生成电路用于根据比较结果确定DDR读数据到达DDR物理层的整数时钟周期,将DDR读数据的有效使能延迟确定的整数时钟周期,实现DDR读数据整数时钟周期同步。本发明采用延迟多拍使能比较信号的方式确定DDR读数据到达DDR物理层的整数时钟周期,把该数据有效使能延迟相应的整数时钟周期,实现DDR读数据整数时钟周期同步。
Public/Granted literature
- CN111208867B 一种基于DDR读数据整数时钟周期的同步电路及同步方法 Public/Granted day:2021-08-24
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