本发明提出一种半导体器件的制造方法及其形成的半导体器件，包括，提供一衬底；形成垫氧化层及阻挡层于所述衬底上，所述阻挡层位于所述垫氧化层上；形成多个浅沟槽隔离结构于所述衬底中，以在所述衬底中形成多个区域；移除部分所述阻挡层，以形成一凹部，所述凹部位于所述多个区域中的任一个区域上，并将位于所述凹部正下方的所述区域定义为高压器件区域，形成栅极氧化层于所述凹部内，并移除所述阻挡层。本发明提出的半导体器件的制造方法工艺简单，可以降低生产成本。