- 专利标题： 存储器结构、集成芯片和形成存储器结构的方法
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申请号： CN201910609485.7申请日： 2019-07-08
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公开(公告)号： CN110875333B公开(公告)日： 2023-12-26
- 发明人: 陈姿妤 , 涂国基 , 朱文定 , 才永轩
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 主分类号： H10B51/30
- IPC分类号： H10B51/30
摘要：
在一个实施例中，本发明涉及存储器结构。存储器结构具有设置在衬底内的源极区和漏极区。选择栅极设置在源极区和漏极区之间的衬底上方。铁电随机存取存储器(FeRAM)器件设置在选择栅极和源极区之间的衬底上方。FeRAM器件包括布置在衬底和导电电极之间的铁电材料。本发明的实施例还涉及存储器结构、集成芯片和形成存储器结构的方法。本发明的实施例还涉及嵌入式铁电存储器单元。
公开/授权文献
- CN110875333A 存储器结构、集成芯片和形成存储器结构的方法 公开/授权日：2020-03-10
