- 专利标题: 一种基于碳球负载二硫化钼掺杂铜铑双金属构建的电化学免疫传感器的制备及应用
-
申请号: CN201911034940.1申请日: 2019-10-29
-
公开(公告)号: CN110687181B公开(公告)日: 2021-10-26
- 发明人: 鞠熀先 , 丁慧 , 魏琴 , 贾洪英 , 邵明月 , 范大伟 , 孙旭 , 曹伟 , 王雪莹 , 匡轩
- 申请人: 济南大学
- 申请人地址: 山东省济南市市中区南辛庄西路336号
- 专利权人: 济南大学
- 当前专利权人: 济南大学
- 当前专利权人地址: 山东省济南市市中区南辛庄西路336号
- 代理机构: 济南誉丰专利代理事务所
- 代理商 赵凤
- 主分类号: G01N27/327
- IPC分类号: G01N27/327 ; G01N27/30 ; G01N33/68
摘要:
本发明涉及一种基于碳球负载二硫化钼掺杂铜铑双金属构建的免疫传感器的制备及应用,属于纳米材料和电化学分析技术领域。采用铜铑双金属改性的碳球负载二硫化钼制备电化学免疫传感器,用于降钙素原的灵敏检测。
公开/授权文献
- CN110687181A 一种基于碳球负载二硫化钼掺杂铜铑双金属构建的电化学免疫传感器的制备及应用 公开/授权日:2020-01-14