基于系统缺陷的半导体晶片的引导式检验

发明授权

摘要：

可以在半导体晶片处识别候选缺陷。可以关于在所述半导体晶片处的所述候选缺陷是对应于系统缺陷还是随机缺陷做出确定。响应于确定在所述半导体晶片处的所述候选缺陷对应于系统缺陷，可以将在所述半导体晶片处的所述候选缺陷提供到缺陷审查工具以供所述缺陷审查工具审查。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66	.在制造或处理过程中的测试或测量