发明授权
- 专利标题： CIS基因芯片及其制作方法
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申请号： CN201910668230.8申请日： 2019-07-23
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公开(公告)号： CN110318099B公开(公告)日： 2022-08-09
- 发明人: 叶国梁 , 刘天建 , 占迪
- 申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 当前专利权人： 武汉新芯集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址： 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 屈蘅
- 主分类号： C40B40/06
- IPC分类号： C40B40/06 ; C40B50/18
摘要：
本发明提供了一种CIS基因芯片及其制作方法，所述方法包括：提供一CIS芯片，所述CIS芯片包含像素感光区，减薄所述CIS芯片像素感光区内的介质层；形成氨基化物质，所述氨基化物质覆盖所述介质层的减薄区域，由此形成的CIS基因芯片，可以缩短了信号源与信号收集区之间的距离，提高了信号灵敏度，提高了测试结果准确率，同时其分析设备可以迷你化，且打破基因分析的场地限制并缩减了成本，并且可以提高CIS基因芯片的批量化生产程度。
公开/授权文献
- CN110318099A CIS基因芯片及其制作方法 公开/授权日：2019-10-11
