- 专利标题: 一种基于原位合成的石墨烯改性铜基电触头材料的制备方法
- 专利标题(英): Graphene modified copper-based electrical contact material preparation method based on in-situ synthesis
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申请号: CN201910299337.X申请日: 2019-04-15
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公开(公告)号: CN110157932A公开(公告)日: 2019-08-23
- 发明人: 李秀辉 , 燕绍九 , 洪起虎 , 陈翔 , 王楠
- 申请人: 中国航发北京航空材料研究院
- 申请人地址: 北京市海淀区北京市81号信箱科技发展部
- 专利权人: 中国航发北京航空材料研究院
- 当前专利权人: 中国航发北京航空材料研究院
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区北京市81号信箱科技发展部
- 代理机构: 中国航空专利中心
- 代理商 仉宇
- 主分类号: C22C1/05
- IPC分类号: C22C1/05 ; C22C9/00 ; H01H1/025 ; H01H1/027 ; B22F1/00 ; B22F1/02
摘要:
本发明涉及一种原位生长工艺制备石墨烯改性铜基电触头材料的方法。本发明首先通过原位化学气相沉积工艺制备石墨烯包覆纯铜粉体,然后采用机械球磨工艺将石墨烯包覆纯铜粉体、铜合金粉体、锡酸锌粉体均匀混合,得到复合粉体。随后采用冷等静压成型工艺、无压烧结工艺得到电触头烧结坯体,最后通过热挤压工艺、冷轧工艺得到组织良好的石墨烯改性铜基电触头材料。本发明通过原位化学气相沉积工艺向铜基电触头材料中引入石墨烯增强体,大大节约了石墨烯原料成本,解决了石墨烯在铜基体中均匀分散的工艺难题,在不降低触头材料导电导热性能的同时显著增强了触头触头材料的机械强度与抗电弧烧蚀性能。
公开/授权文献
- CN110157932B 一种基于原位合成的石墨烯改性铜基电触头材料的制备方法 公开/授权日:2020-09-22