本发明涉及有机电子器件技术领域，尤其涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法。所述有机薄膜晶体管，包括：衬底；第一栅极，位于所述衬底表面；第一栅绝缘层，位于所述衬底表面且覆盖所述第一栅极；源极，位于所述第一栅绝缘层表面；漏极，位于所述第一栅绝缘层表面；掺杂有机半导体层，至少覆盖所述源极、所述漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道区域；第二栅绝缘层，覆盖于所述掺杂有机半导体层表面；第二栅极，位于所述第二栅绝缘层表面。本发明在保证有机薄膜晶体管具备低接触电阻的同时，能够实现对阈值电压的调控。