本发明提供了一种CMOS器件及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，提供衬底，衬底上分别形成有NMOS晶体管和PMOS晶体管，NMOS晶体管具有第一源/漏区，PMOS晶体管具有第二源/漏区；S2，采用包括第一金属的材料在第一源/漏区的表面形成第一金属硅化物层，并采用包括第二金属的材料在第二源/漏区的表面形成第二金属硅化物层，第一金属与第二金属的功函数独立地满足4.3～5eV；S3，形成覆盖于第一金属硅化物层表面的第三金属硅化物层，并形成覆盖于第二金属硅化物层表面的第四金属硅化物层，第三金属硅化物层的功函数低于第四金属硅化物层的功函数。