- 专利标题: 中空结构体的制造方法、镀敷复合体以及中空结构体
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申请号: CN201880003228.2申请日: 2018-02-22
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公开(公告)号: CN109642335A公开(公告)日: 2019-04-16
- 发明人: 沟口昌范
- 申请人: 株式会社旭电化研究所
- 申请人地址: 日本国东京都
- 专利权人: 株式会社旭电化研究所
- 当前专利权人: 株式会社旭电化研究所
- 当前专利权人地址: 日本国东京都
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 刘文海
- 优先权: 2017-034212 2017.02.25 JP
- 国际申请: PCT/JP2018/006581 2018.02.22
- 国际公布: WO2018/155592 JA 2018.08.30
- 进入国家日期: 2019-02-18
- 主分类号: C25D1/02
- IPC分类号: C25D1/02 ; C23C18/38 ; C23F1/00
摘要:
本发明提供中空结构体的制造方法以及中空结构体,不牺牲小型化、薄型化、轻量化、多功能化且作为提高搭载于各种电子装置的设备的散热性的散热片等母材是有用的。包覆铝制的芯材(1)的表面而形成镀铜层(3),来制造镀敷复合体,切除该镀敷复合体的一部分,露出芯材(1)的切断面,然后,将该镀敷复合体浸渍在铝溶解但铜不溶解的钠系水溶液中,仅选择性地溶解去除铝,来制造出使芯材(1)的部位成为中空部(5A)且由镀铜层(3a、3b、3c)整体构成骨架部(5B)的中空结构体(5)。
公开/授权文献
- CN109642335B 中空结构体的制造方法、镀敷复合体以及中空结构体 公开/授权日:2021-09-21