发明公开
- 专利标题: 半导体安装用散热底板及其制造方法
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申请号: CN201780029589.X申请日: 2017-05-29
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公开(公告)号: CN109417059A公开(公告)日: 2019-03-01
- 发明人: 田中启祐 , 大宅大介 , 石原三纪夫 , 磐浅辰哉 , 齐藤浩二 , 若林祐贵
- 申请人: 三菱电机株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 刘杨
- 优先权: 2016-119439 2016.06.16 JP
- 国际申请: PCT/JP2017/019898 2017.05.29
- 国际公布: WO2017/217221 JA 2017.12.21
- 进入国家日期: 2018-11-13
- 主分类号: H01L23/36
- IPC分类号: H01L23/36 ; B22C3/00 ; B22D19/00 ; B22D27/18 ; B22D27/20 ; H01L23/12 ; H05K1/02
摘要:
现有技术的半导体安装用散热底板利用定向性凝固而经过铸造时的冷却工序,因此金属组织从冷却侧形成粗大的柱状晶,从而散热基体的紧固作用及散热特性和半导体芯片对金属电路层的接合状况会产生不良情况。半导体安装用散热底板具备:绝缘基板(12),所述绝缘基板(12)固定有安装半导体芯片的金属电路层;以及强度构件(13),所述强度构件(13)将隔着绝缘基板(12)而在金属电路层的相反侧由与所述金属电路层同样的金属材料形成的散热基体与金属电路层同样地固定于绝缘基板(12),并在散热基体的内部与绝缘基板隔绝,通过附着于铸模的晶体细化材料(25)对散热基体或金属电路层的任一部分的金属组织的晶体粒进行细化,阻止由柱状晶组织产生的不良影响。
公开/授权文献
- CN109417059B 半导体安装用散热底板及其制造方法 公开/授权日:2022-04-26
IPC分类: