- 专利标题: 半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置
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申请号: CN201780032694.9申请日: 2017-03-21
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公开(公告)号: CN109155304A公开(公告)日: 2019-01-04
- 发明人: 朝日昇 , 仁村将次
- 申请人: 东丽工程株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东丽工程株式会社
- 当前专利权人: 东丽工程株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 于靖帅; 乔婉
- 优先权: 2016-067398 2016.03.30 JP
- 国际申请: PCT/JP2017/011088 2017.03.21
- 国际公布: WO2017/169944 JA 2017.10.05
- 进入国家日期: 2018-11-27
- 主分类号: H01L25/065
- IPC分类号: H01L25/065 ; H01L25/07 ; H01L25/18
摘要:
课题在于提高半导体装置制造中的生产率。具体而言,构成为具有如下的工序:使形成在临时基板上所配置的半导体芯片(54)的第1主面上的电极焊盘(55)与形成在新的半导体芯片(4)的第2主面上的凸起(5)对置并借助第1粘接剂(7)进行临时配置而得到多个临时配置体(8);然后对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)与半导体芯片(54)的位置偏移进行检查,将位置偏移在规定的范围内的临时配置体(8)确定为选择临时配置体;将一部分的选择临时配置体从临时基板分离并使其重叠在临时基板上所残留的选择临时配置体上,借助第2粘接剂(107)进行临时配置而得到多层临时配置体(108);然后进行连接工序,一并对多层临时配置体(108)中的各半导体芯片进行加热、加压而将半导体芯片间的凸起与电极焊盘电连接,并且使半导体芯片间的第1和第2粘接剂硬化。
公开/授权文献
- CN109155304B 半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置 公开/授权日:2021-10-22
IPC分类: