本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法，本发明通过在普通碳化硅UMOSFET结构的基础上，通过形成不连续的栅极结构，并于两栅极结构之间引入两碳化硅深P注入区，同时于两碳化硅深P注入区之间引入金属或多晶硅。该金属或多晶硅与碳化硅N‑外延直接接触，形成具有整流特性的肖特基接触或者异质结接触，该改进对传统碳化硅UMOSFET基本特性有大幅优化作用的同时，实现了多子整流器件的集成，极大地优化了器件第三象限工作性能，同时，本发明具有米勒电容低、工艺简单以及易于实现的特点。