发明授权
- 专利标题: 改进的离子源阴极护罩
-
申请号: CN201780004429.X申请日: 2017-01-19
-
公开(公告)号: CN108701573B公开(公告)日: 2021-02-02
- 发明人: 尼尔·科尔文 , 哲-简·谢 , 保罗·西尔弗斯坦
- 申请人: 艾克塞利斯科技公司
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州比佛利市
- 专利权人: 艾克塞利斯科技公司
- 当前专利权人: 艾克塞利斯科技公司
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州比佛利市
- 代理机构: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理商 刘新宇; 寿宁
- 优先权: 62/280,567 2016.01.19 US
- 国际申请: PCT/US2017/014106 2017.01.19
- 国际公布: WO2017/127525 EN 2017.07.27
- 进入国家日期: 2018-06-06
- 主分类号: H01J27/02
- IPC分类号: H01J27/02 ; H01J27/08
摘要:
一种离子源具有电弧腔室主体的电弧腔室。电极延伸到电弧腔室主体的内部区域中,并且阴极护罩具有呈圆柱形且具有轴向通孔的主体。轴向通孔配置成使电极贯穿其中。主体的第一端和第二端具有相应的第一气体传导限制器和第二气体传导限制器。第一气体传导限制器自主体的外径延伸并且具有U形唇缘。第二气体传导限制器具有用于密封件的凹部,以保护密封件免受腐蚀性气体影响并保持密封件的完整性。气源将气体引入电弧腔室主体。内衬具有配置成使阴极护罩贯穿其中的开口,其中内衬具有凹部。
公开/授权文献
- CN108701573A 改进的离子源阴极护罩 公开/授权日:2018-10-23