发明公开
- 专利标题: 半导体结构及其制作方法
- 专利标题(英): SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
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申请号: CN201711240557.2申请日: 2017-11-30
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公开(公告)号: CN108336073A公开(公告)日: 2018-07-27
- 发明人: 陆湘台 , 陈硕懋 , 王敏哲 , 许峰诚 , 杨肇祥 , 郑心圃 , 洪成佾 , 林志贤 , 陈岱璋 , 林振华
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 蕭輔寬
- 优先权: 62/447,633 2017.01.18 US
- 主分类号: H01L25/065
- IPC分类号: H01L25/065 ; H01L23/544 ; H01L21/50
摘要:
本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法,所述制作方法包含:形成重布层RDL;在所述RDL上方形成导电部件;通过所述导电部件执行第一电测试;在所述RDL上方放置第一裸片;通过所述导电部件执行第二电测试;及在所述第一裸片及所述导电部件上方放置第二裸片。
公开/授权文献
- CN108336073B 半导体结构及其制作方法 公开/授权日:2021-03-02
IPC分类: