半导体结构及其制作方法
摘要:
本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法,所述制作方法包含:形成重布层RDL;在所述RDL上方形成导电部件;通过所述导电部件执行第一电测试;在所述RDL上方放置第一裸片;通过所述导电部件执行第二电测试;及在所述第一裸片及所述导电部件上方放置第二裸片。
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