发明授权
CN107919411B 一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法
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申请号: CN201710989585.8申请日: 2017-10-20
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公开(公告)号: CN107919411B公开(公告)日: 2019-03-26
- 发明人: 李辉 , 林新璐 , 屈飞 , 古宏伟 , 王文静
- 申请人: 中国科学院电工研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村北二条6号
- 专利权人: 中国科学院电工研究所
- 当前专利权人: 中国科学院电工研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村北二条6号
- 代理机构: 北京科迪生专利代理有限责任公司
- 代理商 关玲
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L21/368 ; C23C18/00
摘要:
一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法,采取化学水浴沉积法制备。主要采用锌盐,如乙酸锌、硫酸锌等、硫脲、氨水三种物质配成反应液,曲拉通为表面活性剂,反应溶液温度70‑90℃,反应时间为20‑200min,最后得到所需的Zn(S,O)多晶薄膜。
公开/授权文献
- CN107919411A 一种制备Zn(S,O)多晶薄膜的方法 公开/授权日:2018-04-17
IPC分类: