- 专利标题: 一种气密性器件的高可靠性封装结构及其制造方法
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申请号: CN201711171313.3申请日: 2017-11-22
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公开(公告)号: CN107833838B公开(公告)日: 2019-10-18
- 发明人: 曹立强 , 孙鹏 , 金国庆
- 申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 专利权人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 代理机构: 上海智晟知识产权代理事务所
- 代理商 张东梅
- 主分类号: H01L21/56
- IPC分类号: H01L21/56 ; H01L23/31
摘要:
本发明公开了一种气密性器件的高可靠性封装结构,包括:气密性封装管壳,所述气密性封装管壳包括空腔、环绕侧墙和底面;设置在所述气密性封装管壳的空腔内的芯片;将所述芯片焊盘电连接至所述气密性封装管壳底面管脚的导电焊线;覆盖于所述导电焊线表面的绝缘涂层,以及设置在所述气密性封装管壳环绕侧墙上的气密性盖板。
公开/授权文献
- CN107833838A 一种气密性器件的高可靠性封装结构及其制造方法 公开/授权日:2018-03-23
IPC分类: