发明公开
- 专利标题: 基板处理方法、基板处理装置以及记录介质
- 专利标题(英): Substrate processing method, substrate processing apparatus and storage medium
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申请号: CN201710728899.2申请日: 2017-08-23
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公开(公告)号: CN107785289A公开(公告)日: 2018-03-09
- 发明人: 畠山真一 , 渡边圣之 , 西幸三 , 户塚诚也 , 吉原健太郎
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇
- 优先权: 2016-164863 2016.08.25 JP
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67 ; H01L21/027
摘要:
本发明涉及基板处理方法、基板处理装置以及记录介质,有效提高涂布膜的膜厚的均匀性。涂布和显影装置(2)具备:喷嘴(22),其向晶圆喷出处理液;压送部(40),其向喷嘴侧加压输送处理液;送液管路(50),其具有从压送部侧向喷嘴侧排列的阀(53、54),用于从压送部向喷嘴引导处理液;以及控制器(100)。控制器构成为执行以下动作:在阀(54)关闭且阀(53)与阀(54)之间的压力比压送部与阀(53)之间的压力高的状态下打开阀(53);控制压送部以使由于阀(53)打开而降低的阀(53)与阀(54)之间的压力上升;以及在由于阀(53)打开而阀(53)与阀(54)之间的压力降低之后打开阀(54)。
公开/授权文献
- CN107785289B 基板处理方法、基板处理装置以及记录介质 公开/授权日:2023-07-25
IPC分类: