本发明涉及一种MOSFET器件及其制备方法，尤其是一种提高耐压范围的MOSFET器件及其制备方法，属于半导体器件的技术领域。元胞区的有源元胞采用沟槽结构，终端保护区内设置若干终端沟槽，终端沟槽的深度大于元胞沟槽的深度，所述终端沟槽导电多晶硅通过终端沟槽绝缘氧化层与终端沟槽的侧壁以及底壁绝缘隔离；邻近元胞区的终端沟槽与邻近终端保护区的元胞沟槽侧壁外上方的第二导电类型基区接触，能有效提高耐压范围，与现有工艺兼容，安全可靠。