本发明涉及一种MOSFET结构及其制备方法，尤其是一种提高耐压的屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法，属于半导体器件的技术领域。元胞沟槽内设置屏蔽栅结构，在元胞沟槽的槽底设置一个或多个第二导电类型岛区，第二导电类型岛区依次竖向排列且最上端的第二导电类型岛区与元胞沟槽的槽底接触，利用第二导电类型岛区以及第一导电类型辅助层能有效增加沟槽的深度，优化元胞沟槽的槽底掺杂，能进一步提高MOSFET器件的耐压能力，与现有工艺兼容，安全可靠。