本发明公开了一种三维存储器中高深宽比的字线形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供具有高深宽比及待填充空隙的主体结构；对待填充空隙进行部分材料填充；对已进行部分材料填充的待填充空隙进行横向回刻；对回刻后的待填充空隙进行材料填充至无空隙形成字线。本发明中，通过“部分填充—横向回刻—再填充”的方式形成字线，有效的解决了高深宽比的字线形成过程中字线提前封口或者字线填充不满产生空隙的问题，提升了工艺质量，进而确保了三维存储器的良率。