一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法
摘要:
本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法,其中制备方法包括:将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液,A为五氯化钼或者四氯化钨,B为硫脲或者硒脲,C为异丙醇、乙醇或者甲醇,将前驱体溶液涂抹在带氧化层的硅片上;用激光器照射置于硅片表面的前驱体,激光器输出功率为20W~200W,照射时间0.02s~2s,照射在真空环境或惰性气氛环境下进行,得到二维过渡金属硫族化合物薄膜。本发明采用的激光制备二维过渡金属硫族化合物薄膜,其工艺流程简单,可以在短时间内获得高质量的二维过渡金属硫族化合物薄膜,适合大批量生产。
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