半导体器件和制造方法

发明授权

CN107452614B 半导体器件和制造方法有权

请登陆查看更多内容

专利标题： 半导体器件和制造方法
申请号： CN201710248771.6

申请日： 2017-04-17
公开(公告)号： CN107452614B

公开(公告)日： 2021-07-06
发明人: 陈宏豪 , 张哲诚 , 曾鸿辉 , 陈文栋 , 刘又诚
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址： 中国台湾新竹
专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾新竹
代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理商 章社杲; 李伟
优先权： 62/328,921 20160428 US 15/420,280 20170131 US
主分类号： H01L21/311
IPC分类号： H01L21/311 ; H01L21/336

半导体器件和制造方法

摘要：

本发明提供了半导体器件和制造方法，其中，图案化钝化层。在实施例中，使用相同的蚀刻室去除来自图案化工艺的副产物并且同时去除在图案化工艺中利用的光刻胶。在FinFET器件的制造期间，可以使用这种工艺。

公开/授权文献

CN107452614A 半导体器件和制造方法公开/授权日：2017-12-08

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105	......后处理
H01L21/311	.......绝缘层的刻蚀