发明授权
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
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申请号： CN201710196972.6申请日： 2017-03-29
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公开(公告)号： CN107424982B公开(公告)日： 2022-09-20
- 发明人: 德光成太 , 藤井宏基
- 申请人： 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人： 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 高培培; 车文
- 优先权： 2016-065869 20160329 JP
- 主分类号： H01L23/58
- IPC分类号： H01L23/58 ; H01L29/06 ; H01L21/74
摘要：
一种半导体装置及其制造方法。在半导体装置(SD)形成有由元件分离绝缘膜(DTI1)规定的高耐压NMOS晶体管形成区域(HVNR)、由元件分离绝缘膜(DT2)规定的CMOS晶体管形成区域(CMR)、及基板接触部(CLD)。基板接触部(CLD)以从主表面侧到达比元件分离绝缘膜(DTI)的底部深的位置的方式形成在位于高耐压NMOS晶体管形成区域(HVNR)与元件分离绝缘膜(DT2)之间的半导体基板(SUB)的区域。基板接触部(CLD)从深度(D1)至深度(D2)与半导体基板(SUB)接触。
公开/授权文献
- CN107424982A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2017-12-01
IPC分类:
