发明授权
- 专利标题: 一种测试结构及其布设方法
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申请号: CN201611147621.8申请日: 2016-12-13
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公开(公告)号: CN107046020B公开(公告)日: 2019-07-26
- 发明人: 赵毅 , 瞿奇 , 陈玉立 , 彭飞 , 田武 , 梁卉荣
- 申请人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 专利权人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 当前专利权人: 武汉新芯集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址: 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 代理机构: 上海申新律师事务所
- 代理商 俞涤炯
- 主分类号: H01L23/544
- IPC分类号: H01L23/544
摘要:
本发明涉及半导体测试技术,尤其涉及一种测试结构及其布设方法,设置多个焊盘并于每个焊盘底部设置一个下部电路,包括一第一焊盘,一第二焊盘,一第三焊盘和多个第四焊盘;于每个下部电路中设置数量相同且按方位分布的多个NMOS晶体管;采用第一组连线将所有NMOS晶体管的源极并联至第一焊盘上;采用第二组连线将所有NMOS晶体管的衬底并联至第二焊盘上;采用第三组连线将所有NMOS晶体管的栅极并联至第三焊盘上;采用第四组连线将相同位置上的NMOS晶体管的漏极并联至一个第四焊盘上,不同位置的NMOS晶体管对应不同的第四焊盘,能够同时测试多个测试结构,并分析下部电路中处于不同方位的NMOS晶体管的漏极电流变化情况,最终定位到探针卡上扎针位置的偏移方向。
公开/授权文献
- CN107046020A 一种测试结构及其布设方法 公开/授权日:2017-08-15
IPC分类: