一种测试结构及其布设方法
摘要:
本发明涉及半导体测试技术,尤其涉及一种测试结构及其布设方法,设置多个焊盘并于每个焊盘底部设置一个下部电路,包括一第一焊盘,一第二焊盘,一第三焊盘和多个第四焊盘;于每个下部电路中设置数量相同且按方位分布的多个NMOS晶体管;采用第一组连线将所有NMOS晶体管的源极并联至第一焊盘上;采用第二组连线将所有NMOS晶体管的衬底并联至第二焊盘上;采用第三组连线将所有NMOS晶体管的栅极并联至第三焊盘上;采用第四组连线将相同位置上的NMOS晶体管的漏极并联至一个第四焊盘上,不同位置的NMOS晶体管对应不同的第四焊盘,能够同时测试多个测试结构,并分析下部电路中处于不同方位的NMOS晶体管的漏极电流变化情况,最终定位到探针卡上扎针位置的偏移方向。
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