- 专利标题: 一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法
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申请号: CN201710311705.9申请日: 2017-05-05
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公开(公告)号: CN107010654B公开(公告)日: 2018-05-22
- 发明人: 李晨辉 , 单静静 , 刘江安 , 史玉升 , 吴甲民 , 闫春泽 , 桂如峰
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 张彩锦; 曹葆青
- 主分类号: C01G15/00
- IPC分类号: C01G15/00 ; C04B35/01
摘要:
本发明公开了一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法,其将纯度为99.99%以上的金属镓原料溶解于酸中,配制澄清的镓盐溶液,加入沉淀剂产生沉淀物,将获得的沉淀经洗涤、过滤、干燥、煅烧制成单分散超细氧化镓粉体;用合成的单分散氧化镓粉体作为原料,经模压成型和冷等静压强化获得氧化镓生坯,将生坯放在高温炉中烧结,制成高密度、微观结构均匀的氧化镓陶瓷靶材。本发明具有工艺简单、操作方便、产量高等优点,适合工业化生产。
公开/授权文献
- CN107010654A 一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法 公开/授权日:2017-08-04
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