发明授权
- 专利标题: 三维存储器元件
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申请号: CN201510929883.9申请日: 2015-12-15
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公开(公告)号: CN106887434B公开(公告)日: 2019-07-05
- 发明人: 胡志玮 , 叶腾豪
- 申请人: 旺宏电子股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 专利权人: 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人: 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 任岩
- 主分类号: H01L27/11578
- IPC分类号: H01L27/11578 ; H01L27/11582
摘要:
本发明公开了一种三维存储器元件,包括多层叠层结构,多层叠层结构包括多个导电条带及多条沟道,以定义出第一、第二、第三和第四脊状叠层;位于第一脊状叠层上的第一串行选择线开关;位于第二脊状叠层上的第一接地选择线开关;第一U形存储单元串行,串接第一串行选择线开关和第一接地选择线开关;位于第三脊状叠层上的第二串行选择线开关;位于第四脊状叠层上的第二接地选择线开关;第二U形存储单元串行,串接第二串行选择线开关和第二接地选择线开关。第一字线接触结构与第一脊状叠层的导电条带接触。第二字线接触结构与第二脊状叠层的导电条带接触;第三字线接触结构与第三和第四脊状叠层的导电条带接触。
公开/授权文献
- CN106887434A 三维存储器元件 公开/授权日:2017-06-23
IPC分类: