- 专利标题: 用于制造钙钛矿膜的基于低压化学气相沉积的系统和方法
- 专利标题(英): System and method based on low-pressure chemical vapor deposition for fabricating perovskite film
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申请号: CN201580044633.5申请日: 2015-08-17
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公开(公告)号: CN106661729A公开(公告)日: 2017-05-10
- 发明人: 戚亚冰 , M·R·莱登
- 申请人: 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园
- 申请人地址: 日本冲绳县
- 专利权人: 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园
- 当前专利权人: 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园
- 当前专利权人地址: 日本冲绳县
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 庞东成; 李栋修
- 优先权: 62/040,302 20140821 US
- 国际申请: PCT/JP2015/004078 2015.08.17
- 国际公布: WO2016/027450 EN 2016.02.25
- 进入国家日期: 2017-02-20
- 主分类号: C23C16/448
- IPC分类号: C23C16/448 ; C23C16/46 ; C30B25/00 ; C30B31/12 ; H01L33/26 ; H01L51/44
摘要:
提供了用于制造钙钛矿膜的系统和方法,所述系统包含用作CVD炉的壳体,其具有分别与第一温度控制单元和第二温度控制单元耦接的第一段和第二段。第一段和第二段分别基本上对应于气体的上游和下游。一个或多个基板装载在第二段中并通过第二温度控制单元控制,而含有有机卤化物材料的蒸发单元装载在第一段中并通过第一温度控制单元控制。各基板预沉积有金属卤化物材料。所述壳体的内部被抽吸降至低压。
公开/授权文献
- CN106661729B 用于制造钙钛矿膜的基于低压化学气相沉积的系统和方法 公开/授权日:2019-12-10
IPC分类: