发明授权
CN106443525B 扭转式微机械磁场传感器及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 扭转式微机械磁场传感器及其制备方法
-
申请号: CN201611019468.0申请日: 2016-11-17
-
公开(公告)号: CN106443525B公开(公告)日: 2019-07-19
- 发明人: 熊斌 , 刘松 , 梁亨茂 , 徐德辉
- 申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 余明伟
- 主分类号: G01R33/07
- IPC分类号: G01R33/07
摘要:
本发明提供一种扭转式微机械磁场传感器及其制备方法,所述扭转式微机械磁场传感器包括:谐振结构组件;所述谐振结构组件包括:谐振结构、第一绝缘层、感应线圈及驱动电极;所述第一绝缘层位于所述谐振结构表面;所述感应线圈位于所述第一绝缘层表面;所述驱动电极适于以静电驱动方式驱动所述谐振结构,使得所述谐振结构工作时处于扭转谐振模态。本发明的扭转式微机械磁场传感器由于采用静电驱动方式工作,器件的功耗几乎为零,不存在功耗过大而导致的器件温度稳定性问题;由电磁感应定律可知,本发明的扭转式微机械磁场传感器在大范围的磁场测量中都具有极佳的线性度。
公开/授权文献
- CN106443525A 扭转式微机械磁场传感器及其制备方法 公开/授权日:2017-02-22